Съдържание
16 отношения: IGBT транзистор, MOS транзистор, P-n преход, Канада, Полеви транзистор, Нобелова награда за физика, Силиций, Уилям Шокли, Уолтър Братейн, Мехатроника, Интегрална схема, Биполярен транзистор, Германий, Джон Бардийн, Електронна лампа, Лаборатории Бел.
- Електронни компоненти
- Лаборатории „Бел“
- Полупроводникови компоненти
IGBT транзистор
Напречен разрез на типичен IGBT, показващ вътрешна връзка на MOSFET с биполярния транзистор. IGBT транзистор или само IGBT (insulated-gate bipolar transistor) представлява полупроводниково устройство с три извода което се състои схемно от биполярен транзистор, управляван от полеви транзистор с изолиран гейт.
Виж Транзистор и IGBT транзистор
MOS транзистор
Структура на MOS транзистор MOS транзистор (metal oxide semiconductor – метал-оксид-полупроводник) е полеви транзистор с изолиран гейт.
Виж Транзистор и MOS транзистор
P-n преход
Схема на p-n преход Полупроводникова структура и обозначение на диод p-n преход е област на съприкосновение на полупроводници с различна проводимост, където p-проводимостта (p, positive – положителен) преминава в n-проводимост (n, negative – отрицателен).
Канада
Кана̀да (Canada,; Canada) е най-голямата по площ държава в Северна Америка, простираща се от Атлантическия океан на изток до Тихия на запад и до Северния ледовит на север.
Полеви транзистор
Полеви транзистор. Полевият транзистор е транзистор, при който електрическата проводимост на активната област между 2 електрода или т.нар.
Виж Транзистор и Полеви транзистор
Нобелова награда за физика
Нобеловата награда за физика е награда присъждана ежегодно от Кралската шведска академия на науките.
Виж Транзистор и Нобелова награда за физика
Силиций
Силиций (Silicium), Si е химичен елемент от група 14, период 3.
Уилям Шокли
Уилям Шокли (William Bradford Shockley) е американски физик, носител на Нобелова награда за физика за 1956 година.
Уолтър Братейн
Уолтър Братейн (Walter Houser Brattain, Уолтър Хоузър Братейн) е американски физик, носител на Нобелова награда за физика за 1956 година заедно с Джон Бардийн и Уилям Шокли за изобретяването на транзистора.
Виж Транзистор и Уолтър Братейн
Мехатроника
Мехатрониката е интердисциплинарна област от инженерните и техническите науки, която обединява елементи от механиката, електротехниката, оптиката и електрониката.
Интегрална схема
Интегрална схема Atmel Diopsis 740 System on Chip (EPROM памет) с отвор в средата през който се вижда ИС. Отворът позволява съдържанието на паметта да бъде изтрито с ултравиолетови лъчи Интегрална схема (ИС, микрочип или чип) е електронна схема с миниатюрни размери, състояща се от полупроводникови устройства и пасивни компоненти.
Виж Транзистор и Интегрална схема
Биполярен транзистор
Биполярните транзистори са най-широко разпространените дискретни полупроводникови елементи.
Виж Транзистор и Биполярен транзистор
Германий
Германият (Germania – Германия) е химичен елемент с номер 32 и символ Ge в периодичната система, 14 (IV A) група, 4 период.
Джон Бардийн
Джон Бардийн (John Bardeen) е американски физик и електроинженер, единственият, който получава две Нобелови награди за физика – за 1956 и 1972 година.
Електронна лампа
Електронна лампа Електронната лампа (също радиолампа) е активен електронен компонент, използван в електрическите вериги на радиотехниката и електрониката, с който се усилват, превключват или по друг начин управляват електрическите сигнали.
Виж Транзистор и Електронна лампа
Лаборатории Бел
#пренасочване Лаборатории „Бел“.
Виж Транзистор и Лаборатории Бел
Вижте също
Електронни компоненти
- Адаптер
- Варистор
- Електрически предпазител
- Електрическо осветление
- Електронен компонент
- Електронна лампа
- Ключ (електротехника)
- Колекторна комутация
- Кондензатор
- Мемристор
- Оптрон
- Резистор
- Стандартни номинални Е-серии
- Термосноп
- Транзистор
Лаборатории „Бел“
- Лаборатории „Бел“
- Транзистор